Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > APTM60A11FT1G
APTM60A11FT1G
Αριθμός εξαρτήματος:
APTM60A11FT1G
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
50394 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.APTM60A11FT1G.pdf2.APTM60A11FT1G.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply APTM60A11FT1G, use the request quote form to request APTM60A11FT1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APTM60A11FT1G.The price and lead time for APTM60A11FT1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APTM60A11FT1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-APTM60A11FT1G
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SP1
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:132 mOhm @ 33A, 10V
Ισχύς - Max:390W
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:SP1
Αλλα ονόματα:APTM60A11UT1G
APTM60A11UT1G-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Chassis Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:32 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:10552pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:330nC @ 10V
FET Τύπος:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Χαρακτηριστικό:Standard
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):600V
Λεπτομερής περιγραφή:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 40A 390W Chassis Mount SP1
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:40A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APTM60A11FT1G

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APTMC120AM16CD3AG Image APTMC120AM16CD3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 Έρευνα
APTM50UM09FAG Image APTM50UM09FAG Microsemi MOSFET N-CH 500V 497A SP6 Έρευνα
APTM50SKM38TG Microsemi MOSFET N-CH 500V 90A SP4 Έρευνα
APTM50SKM35TG Microsemi MOSFET N-CH 500V 99A SP4 Έρευνα
APTMC120AM20CT1AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 Έρευνα
APTM50UM25SG Microsemi MOSFET N-CH 500V 149A J3 Έρευνα
APTM50TAM65FPG Image APTM50TAM65FPG Microsemi MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P Έρευνα
APTM50SKM17G Microsemi MOSFET N-CH 500V 180A SP6 Έρευνα
APTM50UM19SG Microsemi MOSFET N-CH 500V 163A J3 Έρευνα
APTMC120HM17CT3AG Microsemi POWER MODULE - SIC MOSFET Έρευνα
APTM50SKM19G Microsemi MOSFET N-CH 500V 163A SP6 Έρευνα
APTM50TDUM65PG Image APTM50TDUM65PG Microsemi MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P Έρευνα
APTM50UM13SAG Microsemi MOSFET N-CH 500V 335A SP6 Έρευνα
APTMC120AM12CT3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F Έρευνα
APTM60H23FT1G Microsemi MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 Έρευνα
APTM60A23FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 Έρευνα
APTMC120AM55CT1AG Image APTMC120AM55CT1AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 Έρευνα
APTMC120AM25CT3AG Image APTMC120AM25CT3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F Έρευνα
APTMC120AM08CD3AG Image APTMC120AM08CD3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 Έρευνα
APTMC120AM09CT3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F Έρευνα

Latest Ειδήσεις