Линейна карта

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation е компания, работеща в областта на паметта, която се занимава с проектиране, производство и продажби, за да предостави на своите клиенти глобални решения за памет с най-високо качество. Продуктовите линии на Winbond включват флаш памет за кодово съхранение, сериен и паралелен NAND, специална DRAM и мобилна DRAM.
Продуктите на Winbond се използват широко от компании във вертикалните пазари на IoT, като например компютри, свързани мултимедийни устройства, автомобили, мрежови системи и промишлени. Winbond предлага автомобилни и индустриални продукти с технология Flash и DRAM с поддръжка на дълголетие. Winbond има приблизително 2 200 служители по целия свят, включително 12-инчов FAB в централата в Тайчун, Тайван.
Изображение Номер на частта описание изглед
W972GG8JB25I TR IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Разследване
W25Q64FVSCB1 IC FLASH 64M SPI 104MHZ Разследване
W25Q80JVUXIQ TR IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8USON Разследване
W631GU6KB-11 IC SDRAM 1GBIT 96BGA Разследване
W25Q80BWSSIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Разследване
W9425G6JB-5I Image W9425G6JB-5I IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Разследване
W25Q32FVSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Разследване
W9725G6KB25I TR Image W9725G6KB25I TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Разследване
W25Q128FVBJQ IC FLASH MEMORY 128MB Разследване
W9812G2KB-6I TR Image W9812G2KB-6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Разследване
W971GG6SB25I TR Image W971GG6SB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Разследване
W631GU6MB-15 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Разследване
W9812G6KH-6 Image W9812G6KH-6 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Разследване
W25Q80DVZPIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON Разследване
W25X40BVSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W25Q32BVSSJP TR IC FLASH MEMORY 32MB Разследване
W25Q32FVSSJF IC FLASH MEMORY 32MB Разследване
W25Q64FVDAIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8DIP Разследване
W25Q16FWSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W25Q64DWSSIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W25M02GVTBIT TR Image W25M02GVTBIT TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA Разследване
W971GG6SB25I Image W971GG6SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Разследване
W25Q32FWSSIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W29GL064CB7B Image W29GL064CB7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA Разследване
W25Q32FVSSJF TR IC FLASH MEMORY 32MB Разследване
W9816G6JH-5 Image W9816G6JH-5 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Разследване
W631GG8KB-15 TR Image W631GG8KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Разследване
W25Q128FVPJP IC FLASH MEMORY 128MB Разследване
W25Q64FVSFIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC Разследване
W25X20CLSNIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W9412G6JH-5I Image W9412G6JH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Разследване
W25Q64FVZEJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB Разследване
W25Q20EWSNIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W29GL064CH7B Image W29GL064CH7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA Разследване
W632GG8KB-11 Image W632GG8KB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Разследване
W25Q32DWSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Разследване
W25Q256FVCIP TR Image W25Q256FVCIP TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Разследване
W632GU8MB-15 TR Image W632GU8MB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Разследване
W25Q16DVSNJG IC FLASH MEMORY 16MB Разследване
W25Q80JVSVIQ IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8VSOP Разследване
W25Q128FVSJQ IC FLASH MEMORY 128MB Разследване
W988D2FBJX6I TR Image W988D2FBJX6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Разследване
W9825G6EH-6 Image W9825G6EH-6 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Разследване
W94AD2KBJX5E Image W94AD2KBJX5E IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA Разследване
W25Q128FVFIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Разследване
W9725G6KB-25 TR Image W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Разследване
W25Q128FVSJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Разследване
W25Q32FVSFIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Разследване
W29N02GVBIAF Image W29N02GVBIAF IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA Разследване
W631GU6KB15I TR Image W631GU6KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Разследване
Записва 1,271