Kartu garis

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation adalah perusahaan IC memori yang bergerak di bidang desain, manufaktur, dan layanan penjualan untuk memberikan solusi memori kualitas terbaik kepada pelanggan globalnya. Lini produk Winbond termasuk Memori Flash Penyimpanan Kode, NAND Serial dan Paralel, DRAM Khusus, dan DRAM Seluler.
Produk Winbond banyak digunakan oleh perusahaan di pasar vertikal IoT seperti komputasi, perangkat multimedia yang terhubung, mobil, sistem jaringan dan industri. Winbond menawarkan produk Flash dan DRAM kelas Industri otomotif dan Industrial dengan dukungan jangka panjang. Winbond memiliki sekitar 2.200 karyawan di seluruh dunia, yang mencakup FAB 12 inci di kantor pusatnya di Taichung, Taiwan.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
W972GG8JB25I TR IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W25Q64FVSCB1 IC FLASH 64M SPI 104MHZ Penyelidikan
W25Q80JVUXIQ TR IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8USON Penyelidikan
W631GU6KB-11 IC SDRAM 1GBIT 96BGA Penyelidikan
W25Q80BWSSIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Penyelidikan
W9425G6JB-5I Image W9425G6JB-5I IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Penyelidikan
W25Q32FVSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W9725G6KB25I TR Image W9725G6KB25I TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W25Q128FVBJQ IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
W9812G2KB-6I TR Image W9812G2KB-6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Penyelidikan
W971GG6SB25I TR Image W971GG6SB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W631GU6MB-15 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Penyelidikan
W9812G6KH-6 Image W9812G6KH-6 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Penyelidikan
W25Q80DVZPIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25X40BVSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q32BVSSJP TR IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W25Q32FVSSJF IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W25Q64FVDAIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8DIP Penyelidikan
W25Q16FWSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q64DWSSIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25M02GVTBIT TR Image W25M02GVTBIT TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA Penyelidikan
W971GG6SB25I Image W971GG6SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W25Q32FWSSIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W29GL064CB7B Image W29GL064CB7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W25Q32FVSSJF TR IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W9816G6JH-5 Image W9816G6JH-5 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Penyelidikan
W631GG8KB-15 TR Image W631GG8KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W25Q128FVPJP IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
W25Q64FVSFIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25X20CLSNIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W9412G6JH-5I Image W9412G6JH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Penyelidikan
W25Q64FVZEJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W25Q20EWSNIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W29GL064CH7B Image W29GL064CH7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W632GG8KB-11 Image W632GG8KB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W25Q32DWSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q256FVCIP TR Image W25Q256FVCIP TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Penyelidikan
W632GU8MB-15 TR Image W632GU8MB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Penyelidikan
W25Q16DVSNJG IC FLASH MEMORY 16MB Penyelidikan
W25Q80JVSVIQ IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8VSOP Penyelidikan
W25Q128FVSJQ IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
W988D2FBJX6I TR Image W988D2FBJX6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W9825G6EH-6 Image W9825G6EH-6 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Penyelidikan
W94AD2KBJX5E Image W94AD2KBJX5E IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W25Q128FVFIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W9725G6KB-25 TR Image W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W25Q128FVSJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
W25Q32FVSFIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W29N02GVBIAF Image W29N02GVBIAF IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA Penyelidikan
W631GU6KB15I TR Image W631GU6KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
catatan 1,271