русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
Тип продуктов:
EPC2025ENGR
производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
62329 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
EPC2025ENGR.pdf
запрос

Введение

We can supply EPC2025ENGR, use the request quote form to request EPC2025ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2025ENGR.The price and lead time for EPC2025ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2025ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-EPC2025ENGR
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (макс.):+6V, -4V
Технологии:GaNFET (Gallium Nitride)
Поставщик Упаковка устройства:Die Outline (12-Solder Bar)
Серии:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 3A, 5V
Рассеиваемая мощность (макс):-
упаковка:Tray
Упаковка /:Die
Другие названия:917-EPC2025ENGR
EPC2025ENGRC
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:194pF @ 240V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:1.85nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):5V
Слить к источнику напряжения (VDSS):300V
Подробное описание:N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для EPC2025ENGR

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE запрос
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE запрос
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE запрос
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE запрос
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE запрос
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE запрос
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE запрос
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE запрос

Latest Новости