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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
Modelo do Produto:
EPC2025ENGR
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
62329 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
EPC2025ENGR.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-EPC2025ENGR
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die Outline (12-Solder Bar)
Série:eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:150 mOhm @ 3A, 5V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:Die
Outros nomes:917-EPC2025ENGR
EPC2025ENGRC
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:194pF @ 240V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.85nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):300V
Descrição detalhada:N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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