Suomi
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Meistä | Ota meihin yhteyttä | Pyydä tarjous |
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
Osa numero:
EPC2025ENGR
Valmistaja:
EPC
Kuvaus:
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
62329 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
EPC2025ENGR.pdf
tiedustelu

esittely

We can supply EPC2025ENGR, use the request quote form to request EPC2025ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2025ENGR.The price and lead time for EPC2025ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2025ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-EPC2025ENGR
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -4V
teknologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Toimittaja Device Package:Die Outline (12-Solder Bar)
Sarja:eGaN®
RDS (Max) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 3A, 5V
Tehonkulutus (Max):-
Pakkaus:Tray
Pakkaus / Case:Die
Muut nimet:917-EPC2025ENGR
EPC2025ENGRC
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:194pF @ 240V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1.85nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V
Valua lähde jännite (Vdss):300V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit

Aiheeseen liittyvät osat EPC2025ENGR

Kuva Osa numero valmistajat Kuvaus näkymä
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE tiedustelu
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE tiedustelu
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE tiedustelu
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE tiedustelu
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE tiedustelu
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE tiedustelu
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE tiedustelu

Latest News