Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - единични > EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
EPC2025ENGR
Номер на частта:
EPC2025ENGR
Производител:
EPC
описание:
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
62329 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
EPC2025ENGR.pdf
Разследване

Въведение

We can supply EPC2025ENGR, use the request quote form to request EPC2025ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2025ENGR.The price and lead time for EPC2025ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2025ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-EPC2025ENGR
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (макс):+6V, -4V
технология:GaNFET (Gallium Nitride)
Пакет на доставчик на устройства:Die Outline (12-Solder Bar)
серия:eGaN®
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 3A, 5V
Разсейване на мощност (макс.):-
Опаковка:Tray
Пакет / касета:Die
Други имена:917-EPC2025ENGR
EPC2025ENGRC
Работна температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Surface Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:194pF @ 240V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:1.85nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Feature:-
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):5V
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):300V
Подробно описание:N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar)
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за EPC2025ENGR

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Разследване
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Разследване
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Разследване
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Разследване
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE Разследване
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE Разследване
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE Разследване
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Разследване

Latest News