русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > EPC2031ENGR
EPC2031ENGR
EPC2031ENGR
Тип продуктов:
EPC2031ENGR
производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
74028 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
EPC2031ENGR.pdf
запрос

Введение

We can supply EPC2031ENGR, use the request quote form to request EPC2031ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2031ENGR.The price and lead time for EPC2031ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2031ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-EPC2031ENGR
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Напряжение - испытания:1800pF @ 300V
Напряжение - Разбивка:Die
Vgs (й) (Max) @ Id:2.6 mOhm @ 30A, 5V
Vgs (макс.):5V
Технологии:GaNFET (Gallium Nitride)
Серии:eGaN®
Статус RoHS:Tray
Rds On (Max) @ Id, Vgs:31A (Ta)
поляризация:Die
Другие названия:917-EPC2031ENGR
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Номер детали производителя:EPC2031ENGR
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:17nC @ 5V
Тип IGBT:+6V, -4V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:2.5V @ 15mA
FET Характеристика:N-Channel
Расширенное описание:N-Channel 60V 31A (Ta) Surface Mount Die
Слить к источнику напряжения (VDSS):-
Описание:TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:60V
Коэффициент емкости:-
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для EPC2031ENGR

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE запрос
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE запрос
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE запрос
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2032ENGR Image EPC2032ENGR EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE запрос
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE запрос
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE запрос
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE запрос
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2025ENGR Image EPC2025ENGR EPC TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE запрос
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE запрос
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE запрос
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE запрос
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE запрос

Latest Новости