W987D2HBJX6E
- Modelo do Produto:
- W987D2HBJX6E
- Fabricante:
- Winbond Electronics Corporation
- Descrição:
- IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 80695 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- W987D2HBJX6E.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-W987D2HBJX6E |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 15ns |
| Tensão - Fornecimento: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnologia: | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 90-VFBGA (8x13) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | 90-TFBGA |
| Temperatura de operação: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Volatile |
| Tamanho da memória: | 128Mb (4M x 32) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | DRAM |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13) |
| Freqüência de relógio: | 166MHz |
| Tempo de acesso: | 5.4ns |
| Email: | [email protected] |
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