W987D2HBJX6E
- Modèle de produit:
- W987D2HBJX6E
- Fabricant:
- Winbond Electronics Corporation
- La description:
- IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 80695 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- W987D2HBJX6E.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-W987D2HBJX6E |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 15ns |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| La technologie: | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Package composant fournisseur: | 90-VFBGA (8x13) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 90-TFBGA |
| Température de fonctionnement: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 128Mb (4M x 32) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13) |
| Fréquence d'horloge: | 166MHz |
| Temps d'accès: | 5.4ns |
| Email: | [email protected] |
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