W987D2HBJX6E
W987D2HBJX6E
Αριθμός εξαρτήματος:
W987D2HBJX6E
Κατασκευαστής:
Winbond Electronics Corporation
Περιγραφή:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
80695 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
W987D2HBJX6E.pdf

Εισαγωγή

We can supply W987D2HBJX6E, use the request quote form to request W987D2HBJX6E pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number W987D2HBJX6E.The price and lead time for W987D2HBJX6E depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# W987D2HBJX6E.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-W987D2HBJX6E
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page:15ns
Τάσης - Προμήθεια:1.7 V ~ 1.95 V
Τεχνολογία:SDRAM - Mobile LPSDR
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:90-VFBGA (8x13)
Σειρά:-
Συσκευασία:Tray
Συσκευασία / υπόθεση:90-TFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας:-25°C ~ 85°C (TC)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):3 (168 Hours)
Τύπος μνήμης:Volatile
Μέγεθος μνήμης:128Mb (4M x 32)
Διασύνδεση μνήμης:Parallel
Μορφή μνήμης:DRAM
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Λεπτομερής περιγραφή:SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
Συχνότητα ρολογιού:166MHz
Χρόνος πρόσβασης:5.4ns
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις