W987D2HBJX6E
- 제품 모델:
- W987D2HBJX6E
- 기술:
- IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 80695 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- W987D2HBJX6E.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-W987D2HBJX6E |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | 15ns |
| 전압 - 공급: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 과학 기술: | SDRAM - Mobile LPSDR |
| 제조업체 장치 패키지: | 90-VFBGA (8x13) |
| 연속: | - |
| 포장: | Tray |
| 패키지 / 케이스: | 90-TFBGA |
| 작동 온도: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 크기: | 128Mb (4M x 32) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 메모리 형식: | DRAM |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명: | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13) |
| 클럭 주파수: | 166MHz |
| 액세스 시간: | 5.4ns |
| Email: | [email protected] |
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