W987D2HBJX6E
- Artikelnummer:
- W987D2HBJX6E
- Hersteller:
- Winbond Electronics Corporation
- Beschreibung:
- IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 80695 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- W987D2HBJX6E.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-W987D2HBJX6E |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 15ns |
| Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Technologie: | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Supplier Device-Gehäuse: | 90-VFBGA (8x13) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 90-TFBGA |
| Betriebstemperatur: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 128Mb (4M x 32) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | DRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13) |
| Uhrfrequenz: | 166MHz |
| Zugriffszeit: | 5.4ns |
| Email: | [email protected] |
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