W987D2HBJX7E TR
W987D2HBJX7E TR
Modelo do Produto:
W987D2HBJX7E TR
Fabricante:
Winbond Electronics Corporation
Descrição:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
55390 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
W987D2HBJX7E TR.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-W987D2HBJX7E TR
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:15ns
Tensão - Fornecimento:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia:SDRAM - Mobile LPSDR
Embalagem do dispositivo fornecedor:90-VFBGA (8x13)
Série:-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:90-TFBGA
Outros nomes:W987D2HBJX7E TR-ND
W987D2HBJX7ETR
Temperatura de operação:-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:128Mb (4M x 32)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 133MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
Freqüência de relógio:133MHz
Tempo de acesso:5.4ns
Email:[email protected]

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