EMF8T2R
- 제품 모델:
- EMF8T2R
- 기술:
- TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 78417 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- EMF8T2R.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-EMF8T2R |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 50V, 12V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| 트랜지스터 유형: | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
| 제조업체 장치 패키지: | EMT6 |
| 연속: | - |
| 저항기 - 이미 터베이스 (R2): | 47 kOhms |
| 저항기 -베이스 (R1): | 47 kOhms |
| 전력 - 최대: | 150mW |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-563, SOT-666 |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 주파수 - 전환: | 250MHz, 320MHz |
| 상세 설명: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 100mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
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