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EMF5XV6T5G
EMF5XV6T5G
제품 모델:
EMF5XV6T5G
제조사:
ON Semiconductor
기술:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
76255 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
EMF5XV6T5G.pdf
문의

소개

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내부 부품 번호 RO-EMF5XV6T5G
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V, 12V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
트랜지스터 유형:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
제조업체 장치 패키지:SOT-563
연속:-
저항기 - 이미 터베이스 (R2):47 kOhms
저항기 -베이스 (R1):47 kOhms
전력 - 최대:500mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SOT-563, SOT-666
다른 이름들:EMF5XV6T5G-ND
EMF5XV6T5GOSTR
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:14 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:-
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 500mW Surface Mount SOT-563
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA, 500mA
기본 부품 번호:EMF
Email:[email protected]

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