EMF8T2R
- Artikelnummer:
- EMF8T2R
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 78417 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- EMF8T2R.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-EMF8T2R |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V, 12V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Transistor-Typ: | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 47 kOhms |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 250MHz, 320MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
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