EMF8T2R
- Número de pieza:
- EMF8T2R
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 78417 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- EMF8T2R.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-EMF8T2R |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V, 12V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Tipo de transistor: | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
| Paquete del dispositivo: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Resistor - Base del emisor (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 47 kOhms |
| Potencia - Max: | 150mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 250MHz, 320MHz |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
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