EMF8T2R
- Modello di prodotti:
- EMF8T2R
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 78417 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- EMF8T2R.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-EMF8T2R |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V, 12V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 47 kOhms |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 250MHz, 320MHz |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
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