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まず  ページ > プロダクトセンター > 集積回路 (ic) > メモリ > W632GU8AB-11
W632GU8AB-11
部品型番:
W632GU8AB-11
メーカー:
Winbond Electronics Corporation
説明:
IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
57151 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
W632GU8AB-11.pdf
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規格

内部モデル RO-W632GU8AB-11
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
電源電圧 - :1.283 V ~ 1.45 V
技術:SDRAM - DDR3
シリーズ:-
運転温度:0°C ~ 95°C (TC)
水分感受性レベル（MSL）:3 (168 Hours)
メモリタイプ:Volatile
記憶容量:2Gb (128M x 16)
メモリインタフェース:Parallel
メモリ形式:DRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 20ns
クロック周波数:933MHz
アクセス時間:20ns
Email:[email protected]

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