W632GU8AB-11
- Número de pieza:
- W632GU8AB-11
- Fabricante:
- Winbond Electronics Corporation
- Descripción:
- IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 57151 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- W632GU8AB-11.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-W632GU8AB-11 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 1.283 V ~ 1.45 V |
| Tecnología: | SDRAM - DDR3 |
| Serie: | - |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 2Gb (128M x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 20ns |
| Frecuencia de reloj: | 933MHz |
| Tiempo de acceso: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
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