W632GU8AB-11
- Artikelnummer:
- W632GU8AB-11
- Hersteller:
- Winbond Electronics Corporation
- Beschreibung:
- IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 57151 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- W632GU8AB-11.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-W632GU8AB-11 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
| Spannungsversorgung: | 1.283 V ~ 1.45 V |
| Technologie: | SDRAM - DDR3 |
| Serie: | - |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 2Gb (128M x 16) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | DRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 20ns |
| Uhrfrequenz: | 933MHz |
| Zugriffszeit: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
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