W632GU8AB-11
Modèle de produit:
W632GU8AB-11
Fabricant:
Winbond Electronics Corporation
La description:
IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
57151 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
W632GU8AB-11.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-W632GU8AB-11
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.283 V ~ 1.45 V
La technologie:SDRAM - DDR3
Séries:-
Température de fonctionnement:0°C ~ 95°C (TC)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:2Gb (128M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 20ns
Fréquence d'horloge:933MHz
Temps d'accès:20ns
Email:[email protected]

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