W632GU8AB-11
Modello di prodotti:
W632GU8AB-11
fabbricante:
Winbond Electronics Corporation
Descrizione:
IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
57151 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
W632GU8AB-11.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-W632GU8AB-11
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:1.283 V ~ 1.45 V
Tecnologia:SDRAM - DDR3
Serie:-
temperatura di esercizio:0°C ~ 95°C (TC)
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 20ns
Frequenza dell'orologio:933MHz
Tempo di accesso:20ns
Email:[email protected]

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