SI3588DV-T1-GE3
SI3588DV-T1-GE3
部品型番:
SI3588DV-T1-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
47423 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
SI3588DV-T1-GE3.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-SI3588DV-T1-GE3
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS(TH)(最大):450mV @ 250µA (Min)
サプライヤデバイスパッケージ:6-TSOP
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):80 mOhm @ 3A, 4.5V
電力 - 最大:830mW, 83mW
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
他の名前:SI3588DV-T1-GE3DKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:-
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:7.5nC @ 4.5V
FETタイプ:N and P-Channel
FET特長:Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
詳細な説明:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 570mA 830mW, 83mW Surface Mount 6-TSOP
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):2.5A, 570mA
ベース部品番号:SI3588
Email:[email protected]

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