SI3588DV-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI3588DV-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 47423 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SI3588DV-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SI3588DV-T1-GE3 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 450mV @ 250µA (Min) |
| Package composant fournisseur: | 6-TSOP |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 80 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 830mW, 83mW |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Autres noms: | SI3588DV-T1-GE3DKR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 570mA 830mW, 83mW Surface Mount 6-TSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.5A, 570mA |
| Numéro de pièce de base: | SI3588 |
| Email: | [email protected] |
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