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EPC8009ENGR
EPC8009ENGR
部品型番:
EPC8009ENGR
メーカー:
EPC
説明:
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
85010 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
1.EPC8009ENGR.pdf2.EPC8009ENGR.pdf
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規格

内部モデル RO-EPC8009ENGR
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - テスト:47pF @ 32.5V
電圧 - ブレークダウン:Die
同上@ VGS（TH）（最大）:138 mOhm @ 500mA, 5V
技術:GaNFET (Gallium Nitride)
シリーズ:eGaN®
RoHSステータス:Tray
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:4.1A (Ta)
偏光:Die
他の名前:917-EPC8009ENGR
EPC8009ENGG
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:EPC8009ENGR
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:0.38nC @ 5V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:2.5V @ 250µA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die
ソース電圧（VDSS）にドレイン:-
説明:TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:65V
静電容量比:-
Email:[email protected]

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