EPC8009ENGR
- Номер на частта:
- EPC8009ENGR
- Производител:
- EPC
- описание:
- TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 85010 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- 1.EPC8009ENGR.pdf2.EPC8009ENGR.pdf
Въведение
We can supply EPC8009ENGR, use the request quote form to request EPC8009ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC8009ENGR.The price and lead time for EPC8009ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC8009ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-EPC8009ENGR |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Изпитване на напрежение: | 47pF @ 32.5V |
| Напрежение - Разбивка: | Die |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 138 mOhm @ 500mA, 5V |
| технология: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| серия: | eGaN® |
| Състояние на RoHS: | Tray |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 4.1A (Ta) |
| поляризация: | Die |
| Други имена: | 917-EPC8009ENGR EPC8009ENGG |
| Работна температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер на частта на производителя: | EPC8009ENGR |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 0.38nC @ 5V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Разширено описание: | N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | - |
| описание: | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 65V |
| Съотношение на капацитета: | - |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за EPC8009ENGR
Latest News
- Toshiba стартира SmartMCD Series Gate Driver IC с вграден микроконтролер
- Комплект за разгръщане на ADI Sambanova, насърчавайки производствената формула AI за постигане на пробив на ниво предприятие
- Honeywell и Adi се присъединиха към насърчаването на иновациите и промяната на автоматизацията на сградите
- Максим обяви старта
- Maxim стартира автомобил DC-DC Converter Max16984, автомобил с интегрирани USB зареждащи изброяващи изброяващи
- Renesas Electronics стартира първия програмируем електрически драйвер в индустрията IC
- Renesas стартира първото поколение 32-битово RISC-V CPU ядро
- Vishay стартира новото съединение с ниска сила 10 Mbd, едва 5 mA, диапазонът на напрежението е 2,7 V до 5,5 V
- Melexis стартира ново решение за интелигентно отклонение за интегриране на надеждна сигурност
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Ерата на DDR5 се приближава и новите предизвикателства не могат да бъдат игнорирани
- Renesas отваря следващата карта на автомобила SOC и MCU Processor Product Route Map