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EPC8009
EPC8009
部品型番:
EPC8009
メーカー:
EPC
説明:
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
52743 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
1.EPC8009.pdf2.EPC8009.pdf
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規格

内部モデル RO-EPC8009
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS（TH）（最大）:2.5V @ 250µA
Vgs（最大）:+6V, -4V
技術:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ:Die
シリーズ:eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:130 mOhm @ 500mA, 5V
電力消費（最大）:-
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:Die
他の名前:917-1078-1
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:52pF @ 32.5V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:0.45nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:65V
詳細な説明:N-Channel 65V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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