内部モデル | RO-EPC8003ENGR |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - テスト: | 38pF @ 50V |
電圧 - ブレークダウン: | Die |
同上@ VGS(TH)(最大): | 300 mOhm @ 500mA, 5V |
技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
シリーズ: | eGaN® |
RoHSステータス: | Tray |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 2.5A (Ta) |
偏光: | Die |
他の名前: | 917-EPC8003ENGR EPC8003ENGK |
運転温度: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | EPC8003ENGR |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 0.32nC @ 5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 100V 2.5A (Ta) Surface Mount Die |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 100V |
静電容量比: | - |
Email: | [email protected] |