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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd ist das globale Joint Venture zwischen NXP Semiconductors NV und Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors wurde am 19. Januar 2016 offiziell mit dem Geschäfts- und Betriebszentrum in Shanghai, China, eröffnet. WeEn Semiconductors ist in der Stadt Nanchang registriert, der Hauptstadt der Provinz Jiangxi in China. Sie besitzt Tochtergesellschaften und Niederlassungen in Jilin City für bipolare Produktion, in Shanghai und Großbritannien für F & E und Produktionsunterstützung, in Hong Kong für Vertriebsaktivitäten und in vielen anderen Ländern für Vertriebs- und Kundendienstleistungen.
Als ein wichtiger Akteur in der Halbleiterindustrie kombiniert WeEn die fortschrittliche Bipolar-Power-Technologie und die starke Ressource von JAC Capital in der chinesischen Fertigungsindustrie und den Vertriebskanälen, um sich auf die Entwicklung eines kompletten Portfolios branchenführender bipolarer Stromversorgungsprodukte einschließlich Silizium-Gleichrichter zu konzentrieren. Leistungsdioden, Hochspannungstransistoren, Siliziumkarbid, die in der Automobil-, Telekommunikations-, Computer- und Unterhaltungselektronik-, intelligenten Haushaltsgerät-, Beleuchtungs- und Energiemanagement-Branche weit verbreitet sind. Ziel ist es, den Kunden zu einer höheren Kosteneffizienz und Produktionseffizienz zu verhelfen und zur Entwicklung Chinas und der globalen intelligenten Fertigung beizutragen.
Das Produktportfolio der NXP Bi-Polar Division (Dioden, Thyristoren und Transistoren) wurde auf WeEn Semiconductors übertragen (19. Januar 2017).
Image Artikelnummer Beschreibung Aussicht
NURS360BJ Image NURS360BJ DIODE GEN PURP 600V 3A SOD132 Anfrage
BTA225-600B,127 Image BTA225-600B,127 TRIAC 600V 25A TO220AB Anfrage
BT258S-800R,118 Image BT258S-800R,118 THYRISTOR 800V 8A DPAK Anfrage
BTA420-800BT,127 Image BTA420-800BT,127 TRIAC 800V 20A TO220AB Anfrage
BT138B-600,118 Image BT138B-600,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Anfrage
BT168GWF,115 Image BT168GWF,115 SCR SENS 600V 1A SOT-223 Anfrage
PHE13003C,412 Image PHE13003C,412 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Anfrage
BTA212X-800B,127 Image BTA212X-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Anfrage
BTA416Y-600C,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Anfrage
BT151-650L,127 Image BT151-650L,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Anfrage
PHD13003C,126 Image PHD13003C,126 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Anfrage
EC103D1WX Image EC103D1WX SCR SENS GATE 400V SC-73 Anfrage
BT137X-600F/L02Q BT137X-600F/L02/TO-220F/STANDA Anfrage
BYV415W-600PQ Image BYV415W-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 Anfrage
NXPSC20650Q Image NXPSC20650Q DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC Anfrage
BT136X-800E,127 Image BT136X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220-3 Anfrage
BTA420X-800CT/L02Q Image BTA420X-800CT/L02Q TRIAC 800V 20A Anfrage
ACTT10X-800EQ Image ACTT10X-800EQ TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220FP Anfrage
BT258-800R,127 Image BT258-800R,127 THYRISTOR 800V 8A TO220AB Anfrage
BTA204X-600F,127 Image BTA204X-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220F Anfrage
BTA410Y-600BT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Anfrage
BT151S-650L,118 Image BT151S-650L,118 THYRISTOR 500V 12A DPAK Anfrage
BTA312X-800C/L01,1 Image BTA312X-800C/L01,1 TRIAC 800V 12A TO220F Anfrage
Aufzeichnungen 873
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