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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, est la joint-venture mondiale entre NXP Semiconductors N.V. et Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors a été officiellement ouvert le 19 janvier 2016 avec son centre d'affaires et d'opérations situé à Shanghai, en Chine. WeEn Semiconductors est enregistrée à Nanchang, la capitale de la province de Jiangxi, en Chine. Elle possède des filiales et des succursales à Jilin pour la production bipolaire, à Shanghai et au Royaume-Uni pour la R & D et le soutien de la production, à Hong Kong pour les activités commerciales et dans de nombreux autres pays pour les ventes et le service clientèle, respectivement.
En tant qu’acteur clé dans l’industrie des semi-conducteurs, WeEn associe la technologie d’alimentation bipolaire avancée et la solide ressource de JAC Capital dans l’industrie manufacturière et les canaux de distribution chinois pour se concentrer sur le développement d’un portefeuille complet de diodes de puissance, transistors haute tension, carbure de silicium, largement utilisés dans les marchés de l'automobile, des télécommunications, de l'informatique et de l'électronique grand public, des appareils ménagers intelligents, de l'éclairage et de la gestion de l'alimentation. L’objectif est d’aider les clients à atteindre une rentabilité et une efficacité de production supérieures et à contribuer au développement de la Chine et de la fabrication intelligente au niveau mondial.
Le portefeuille de produits de la division bi-polaire NXP (diodes, thyristors et transistors) a été transféré à WeEn Semiconductors (19 janv. 2017).
image Modèle de produit La description Vue
NURS360BJ Image NURS360BJ DIODE GEN PURP 600V 3A SOD132 Enquête
BTA225-600B,127 Image BTA225-600B,127 TRIAC 600V 25A TO220AB Enquête
BT258S-800R,118 Image BT258S-800R,118 THYRISTOR 800V 8A DPAK Enquête
BTA420-800BT,127 Image BTA420-800BT,127 TRIAC 800V 20A TO220AB Enquête
BT138B-600,118 Image BT138B-600,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Enquête
BT168GWF,115 Image BT168GWF,115 SCR SENS 600V 1A SOT-223 Enquête
PHE13003C,412 Image PHE13003C,412 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Enquête
BTA212X-800B,127 Image BTA212X-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Enquête
BTA416Y-600C,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Enquête
BT151-650L,127 Image BT151-650L,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Enquête
PHD13003C,126 Image PHD13003C,126 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Enquête
EC103D1WX Image EC103D1WX SCR SENS GATE 400V SC-73 Enquête
BT137X-600F/L02Q BT137X-600F/L02/TO-220F/STANDA Enquête
BYV415W-600PQ Image BYV415W-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 Enquête
NXPSC20650Q Image NXPSC20650Q DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC Enquête
BT136X-800E,127 Image BT136X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220-3 Enquête
BTA420X-800CT/L02Q Image BTA420X-800CT/L02Q TRIAC 800V 20A Enquête
ACTT10X-800EQ Image ACTT10X-800EQ TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220FP Enquête
BT258-800R,127 Image BT258-800R,127 THYRISTOR 800V 8A TO220AB Enquête
BTA204X-600F,127 Image BTA204X-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220F Enquête
BTA410Y-600BT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Enquête
BT151S-650L,118 Image BT151S-650L,118 THYRISTOR 500V 12A DPAK Enquête
BTA312X-800C/L01,1 Image BTA312X-800C/L01,1 TRIAC 800V 12A TO220F Enquête
Disques 873
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