IMD9AT108
- Artikelnummer:
- IMD9AT108
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 54159 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.IMD9AT108.pdf2.IMD9AT108.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-IMD9AT108 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SMT6 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 10 kOhms |
| Leistung - max: | 300mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-74, SOT-457 |
| Andere Namen: | IMD9AT108TR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 68 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Basisteilenummer: | *MD9 |
| Email: | [email protected] |
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