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IMD9AT108
IMD9AT108
제품 모델:
IMD9AT108
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
54159 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
1.IMD9AT108.pdf2.IMD9AT108.pdf
문의

소개

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내부 부품 번호 RO-IMD9AT108
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):300mV @ 250µA, 5mA
트랜지스터 유형:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지:SMT6
연속:-
저항기 - 이미 터베이스 (R2):47 kOhms
저항기 -베이스 (R1):10 kOhms
전력 - 최대:300mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SC-74, SOT-457
다른 이름들:IMD9AT108TR
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환:250MHz
상세 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:68 @ 5mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA
기본 부품 번호:*MD9
Email:[email protected]

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