Interne Teilenummer | RO-IMD16AT108 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA |
Transistor-Typ: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse: | SMT6 |
Serie: | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2): | 22 kOhms |
Widerstand - Basis (R1): | 100 kOhms, 2.2 kOhms |
Leistung - max: | 300mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | SC-74, SOT-457 |
Andere Namen: | IMD16AT108-ND IMD16AT108TR |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 250MHz |
detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA, 500mA |
Basisteilenummer: | MD16A |
Email: | [email protected] |