Tin tức

TOSHIBA ra mắt IGBT rời rạc giúp giảm tiêu thụ điện năng và bức xạ của các thiết bị gia dụng: GT30J110SRA

  • Tác giả:TOSHIBA
  • Phát hành vào:2021-01-18

Công ty TNHH Lưu trữ và Linh kiện Điện tử Toshiba (sau đây gọi là "Toshiba") vừa ra mắt IGBT-GT30J110SRA 1100V rời, phù hợp cho nồi cơm điện IH và các thiết bị gia dụng như lò vi sóng sử dụng mạch cộng hưởng điện áp đầu vào AC 100V.

Các đặc tính của sản phẩm GT30J110SRA mới đã được cải thiện rất nhiều. Với các sản phẩm hiện có【1】Trong khi đó, tổn hao, triệt tiêu dòng ngắn mạch, bức xạ điện từ thấp hơn và vùng làm việc an toàn rộng hơn.

Bằng cách giảm công tắc tắt và tổn thất dẫn diode, có thể đạt được tổn thất thấp hơn. Bằng cách giảm nhiễu bức xạ, có thể sử dụng điện trở ổ cổng nhỏ hơn so với trước đây. Thời gian mở cửa điển hình【2】0,2μs, so với các sản phẩm hiện có【1】Giảm khoảng 20%, thời gian tắt thông thường【2】Nó là 0,33μs, ít hơn khoảng 29% so với các sản phẩm hiện có. Điện áp chuyển tiếp điển hình của diode【3】Nó là 1,40V, giảm khoảng 33%, giúp giảm đáng kể điện năng tiêu thụ của thiết bị.

Việc triệt tiêu dòng ngắn mạch đạt được bằng cách giảm dòng bão hòa, có thể làm giảm dòng ngắn mạch của tụ cộng hưởng trong quá trình khởi động thiết bị. Dòng điện bão hòa đỉnh điển hình của sản phẩm mới là 200A, cao hơn so với sản phẩm hiện có【1】Giảm khoảng 40%, ở 60A hoặc thấp hơn, điện áp bão hòa bộ thu-phát bằng với sản phẩm hiện có【1】.

Với các sản phẩm hiện có【1】Trong khi đó, phía áp suất cao của khu vực sử dụng an toàn của nó được mở rộng, làm cho sản phẩm ít bị hư hỏng hơn.

Bằng cách tối ưu hóa cấu trúc chip, bức xạ điện từ thấp hơn đạt được【4】. Khi chip ở xung quanh 30MHz, nơi mức bức xạ điện từ mạnh nhất, bức xạ phát ra chỉ là 35,8dBμV / m, thấp hơn khoảng 10dBμV / m so với các sản phẩm hiện có.【5】.

[1] Sản phẩm hiện có GT60PR21
[2] @VCE= 600V, VIC= 60A, VGE= + 15V, Ta= 25 ° C
[3] @IF= 30A, VGE= 0V, Ta= 25 ° C
[4] Giá trị đo được của Toshiba
[5] Sản phẩm hiện có GT40QR21

đặc tính

  • 6,5 thế hệ
  • Cấu trúc RC tích hợp diode
  • Điện áp chuyển tiếp diode thấp: VF= 1,40V (giá trị điển hình) @IF= 30A, Ta= 25 ° C

ứng dụng

Cộng hưởng điện áp của các thiết bị gia dụng

  • Nồi cơm điện IH
  • Bếp từ IH
  • Lò vi sóng, v.v.

Thông số sản phẩm

(Trừ khi được chỉ định khác, @Ta= 25 ℃)

Mô hình thiết bị Gói Đánh giá tối đa tuyệt đối người sưu tầm-
Máy phát
Điện áp bão hòa
VCE (sat)Giá trị điển hình (V)
diode
Điện áp chuyển tiếp
VFGiá trị điển hình (V)
Thời gian chuyển đổi
(Giảm thời gian)
tfGiá trị điển hình (µs)
Khả năng chịu nhiệt của đường giao nhau
Rth (j-c)Tối đa (° C / W)
người sưu tầm
-Emitter
Vôn
VCES(V)
Dòng thu (DC) IC(A) Nhiệt độ giao nhau
Tj(° C)
@Tc= 25 ° C
@Tc= 100 ° C
@TÔIC= 30A,
VGE= 15V
@TÔIF= 30A,
VGE= 0V
GT30J110SRA TO-3P (N) 1100 60 30 175 1,60 1,40 0,17 0,48

Mạch bên trong

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Ví dụ về mạch ứng dụng

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Mạch ứng dụng được hiển thị trong bài viết này chỉ mang tính chất tham khảo.
Cần phải đánh giá kỹ lưỡng, đặc biệt là trong giai đoạn thiết kế sản xuất hàng loạt.
Việc cung cấp các ví dụ về mạch ứng dụng này không có nghĩa là bất kỳ giấy phép sở hữu công nghiệp nào cũng được cấp.

Đường cong đặc trưng

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Điện áp chuyển tiếp diode mới【3】Giá trị điển hình ở 25 ° C và 30A là 1,40V, tốt hơn các sản phẩm hiện có【1】Giảm khoảng 33%, do đó giúp giảm điện năng tiêu thụ của thiết bị.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • So với các sản phẩm hiện có, sản phẩm mới đã thay đổi thiết kế chip để giảm dòng ngắn mạch tụ do cộng hưởng điện áp khi khởi động【1】. Khi TC= 25 ° C và VGE = 15V, dòng điện góp bị triệt tiêu 150A đến 200A. Trong trường hợp 60A hoặc thấp hơn, điện áp bão hòa bộ thu-phát bằng với sản phẩm hiện có【1】Điện áp.
  • So với các sản phẩm hiện có, sản phẩm mới có hiệu suất cân bằng hơn và phạm vi điện trở cổng lớn hơn【1】.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Với các sản phẩm tương tự hiện có【5】Trong khi đó, sản phẩm mới có cường độ bức xạ điện từ cao nhất vào khoảng 30MHz và mức bức xạ đã giảm khoảng 10dBμV / m.

Giá sản phẩm và thông số kỹ thuật, nội dung dịch vụ và thông tin liên hệ trong tài liệu này vẫn là thông tin mới nhất vào ngày thông báo và có thể thay đổi mà không cần báo trước.