العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > أخبار > تطلق توشيبا IGBTs المنفصلة التي تساعد على تقليل استهلاك الطاقة وإشعاع الأجهزة المنزلية: GT30J110SRA

أخبار

تطلق توشيبا IGBTs المنفصلة التي تساعد على تقليل استهلاك الطاقة وإشعاع الأجهزة المنزلية: GT30J110SRA

  • مؤلف:توشيبا
  • الإصدار:2021-01-18

أطلقت شركة Toshiba Electronic Components and Storage Co.، Ltd. (المشار إليها فيما يلي باسم "Toshiba") مؤخرًا جهاز IGBT-GT30J110SRA منفصل بقوة 1100 فولت ، وهو مناسب لأجهزة طهي الأرز والأجهزة المنزلية مثل أفران الميكروويف التي تستخدم دائرة رنين جهد الدخل AC 100V.

تم تحسين خصائص منتج GT30J110SRA الجديد بشكل كبير. مع المنتجات الموجودة【1】بالمقارنة ، فإن خسارته ، وقمع تيار ماس كهربائى ، والإشعاع الكهرومغناطيسي أقل ، ومنطقة العمل الآمنة أوسع.

عن طريق تقليل خسائر توصيل الصمام الثنائي ومفتاح الإيقاف ، يمكن تحقيق خسائر أقل. من خلال تقليل ضوضاء الإشعاع ، من الممكن استخدام مقاوم محرك بوابة أصغر مما كان عليه في الماضي. وقت الفتح المعتاد【2】0.2μs ، مقارنة بالمنتجات الحالية【1】تم تقليله بنسبة 20٪ تقريبًا ، وقت التوقف المعتاد【2】إنها 0.33μs ، أي أقل بحوالي 29٪ من المنتجات الحالية. الجهد الأمامي النموذجي للديود【3إنها 1.40V ، والتي تقل بحوالي 33٪ ، مما يقلل بشكل كبير من استهلاك طاقة المعدات.

يتم تحقيق قمع تيار الدائرة القصيرة عن طريق تقليل تيار التشبع ، والذي يمكن أن يقلل تيار الدائرة القصيرة لمكثف الرنين أثناء بدء تشغيل الجهاز. ذروة تشبع التيار النموذجي للمنتج الجديد هو 200A ، وهو أعلى من المنتج الحالي【1】مخفضًا بحوالي 40٪ ، عند 60 أمبير أو أقل ، جهد تشبع المجمع-الباعث يساوي المنتج الحالي【1】.

مع المنتجات الموجودة【1】وبالمقارنة ، فإن جانب الضغط العالي لمنطقة الاستخدام الآمن الخاص به يتم تكبيره ، مما يجعل المنتج أقل عرضة للتلف.

من خلال تحسين هيكل الرقاقة ، يتم تحقيق إشعاع كهرومغناطيسي أقل【4】. عندما تكون الشريحة حوالي 30 ميجاهرتز حيث يكون مستوى الإشعاع الكهرومغناطيسي هو الأقوى ، يكون انبعاث الإشعاع 35.8dBμV / m فقط ، وهو أقل بحوالي 10dBμV / m من المنتجات الحالية.【5.

[1] المنتج الحالي GT60PR21
[2] @ V.م＝ 600 فولت ، السادسج= 60 أ ، الخامسGE= + 15 فولت ، تيأ＝ 25 درجة مئوية
[3]IF= 30 أ ، الخامسGE= 0 فولت ، تيأ＝ 25 درجة مئوية
[4] القيمة المُقاسة لتوشيبا
[5] المنتج الحالي GT40QR21

صفة مميزة

  • 6.5 جيل
  • هيكل RC المدمج في الصمام الثنائي
  • جهد أمامي منخفض للديود: V.F＝ 1.40V (القيمة النموذجية)IF= 30 أ ، تأ＝ 25 درجة مئوية

تطبيق

صدى الجهد للأجهزة المنزلية

  • طباخ أرز IH
  • طباخ التعريفي IH
  • ميكروويف ، إلخ.

مواصفات المنتج

(ما لم ينص على خلاف ذلك ،Tأ＝ 25 ℃)

طراز الجهاز صفقة أقصى تقدير المطلق جامع-
باعث
جهد التشبع
الخامسم (السبت)القيمة النموذجية (V)		 الصمام الثنائي
التيار المتجه للامام
الخامسFالقيمة النموذجية (V)		 وقت التبديل
(وقت الخريف)
رFالقيمة النموذجية (µs)		 المقاومة الحرارية للوصلة
رعشر (ي ج)الحد الأقصى (° C / W)
جامع
-مصدر
الجهد االكهربى
الخامسCES(الخامس)		 تيار المجمع (DC)ج(أ) درجة حرارة التقاطع
تيي(درجة مئوية)
@ تج＝ 25 درجة مئوية
 @ تج＝ 100 درجة مئوية
 @أناج= 30 أ ،
الخامسGE＝ 15 فولت		 @أناF= 30 أ ،
الخامسGE= 0 فولت
GT30J110SRA TO-3P (N) 1100 60 30 175 1.60 1.40 0.17 0.48

الدائرة الداخلية

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

مثال دائرة التطبيق

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

دائرة التطبيق الموضحة في هذه المقالة هي للإشارة فقط.
مطلوب تقييم شامل ، لا سيما في مرحلة تصميم الإنتاج الضخم.
لا يعني توفير أمثلة دوائر التطبيق هذه منح أي ترخيص ملكية صناعية.

منحنى مميز

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • الجهد الأمامي الجديد للديود【3القيمة النموذجية عند 25 درجة مئوية و 30 أمبير هي 1.40 فولت ، وهو أفضل من المنتجات الحالية【1】مخفض بنحو 33٪ ، مما يساعد على تقليل استهلاك الطاقة للجهاز.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • بالمقارنة مع المنتجات الحالية ، غيّر المنتج الجديد تصميم الرقاقة لتقليل تيار ماس كهربائى للمكثف بسبب صدى الجهد أثناء بدء التشغيل【1】. عندما تج= 25 درجة مئوية و V.GE = 15V ، يتم قمع تيار المجمع إلى 150A إلى 200A. في حالة 60 أمبير أو أقل ، يكون جهد تشبع المجمع - الباعث مساويًا للمنتج الحالي【1】الجهد.
  • بالمقارنة مع المنتجات الحالية ، فإن المنتج الجديد يتمتع بأداء أكثر توازناً ونطاق مقاومة أكبر للبوابة【1】.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • مع المنتجات المماثلة الموجودة【5بالمقارنة ، فإن المنتج الجديد لديه أعلى كثافة إشعاع كهرومغناطيسي حوالي 30 ميجا هرتز ، وقد تم تقليل مستوى الإشعاع بحوالي 10 ديسيبل ميكرو فولت / م

لا تزال أسعار المنتجات والمواصفات ومحتوى الخدمة ومعلومات الاتصال الواردة في هذا المستند هي أحدث المعلومات في يوم الإعلان ، وهي عرضة للتغيير دون إشعار.