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TOSHIBA lance des IGBT discrets qui aident à réduire la consommation d'énergie et le rayonnement des appareils électroménagers: GT30J110SRA

Auteur:TOSHIBA
Libération sur:2021-01-18

Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (ci-après dénommé «Toshiba») a récemment introduit un IGBT-GT30J110SRA discret de 1100V, qui convient aux cuiseurs à riz IH et aux appareils ménagers tels que les fours à micro-ondes qui utilisent un circuit de résonance de tension d'entrée CA 100V.

Les caractéristiques du nouveau produit GT30J110SRA ont été considérablement améliorées. Avec des produits existants^【1】En comparaison, sa perte, la suppression du courant de court-circuit, le rayonnement électromagnétique sont plus faibles et la zone de travail sûre est plus large.

En réduisant l'interrupteur de coupure et les pertes de conduction de la diode, des pertes plus faibles peuvent être obtenues. En réduisant le bruit de rayonnement, il est possible d'utiliser une résistance d'attaque de grille plus petite que par le passé. Heure d'ouverture typique^【2】0,2 μs, par rapport aux produits existants^【1】Réduit d'environ 20%, temps d'arrêt typique^【2】Il est de 0,33 μs, soit environ 29% de moins que les produits existants. Tension directe typique de la diode^【3】Il est de 1,40 V, ce qui est réduit d'environ 33%, ce qui réduit considérablement la consommation d'énergie de l'équipement.

La suppression du courant de court-circuit est obtenue en réduisant le courant de saturation, ce qui peut réduire le courant de court-circuit du condensateur résonnant lors du démarrage de l'appareil. Le courant de saturation de pointe typique du nouveau produit est de 200 A, ce qui est supérieur à celui du produit existant^【1】Réduite d'environ 40%, à 60 A ou moins, la tension de saturation collecteur-émetteur est égale au produit existant^【1】.

Avec des produits existants^【1】En comparaison, le côté haute pression de sa zone d'utilisation sûre est agrandi, ce qui rend le produit moins susceptible d'être endommagé.

En optimisant la structure de la puce, un rayonnement électromagnétique plus faible est obtenu^【4】. Lorsque la puce est d'environ 30 MHz où le niveau de rayonnement électromagnétique est le plus fort, l'émission de rayonnement n'est que de 35,8 dBμV / m, soit environ 10 dBμV / m de moins que les produits existants.^【5】.

[1] Produit existant GT60PR21
[2] @V_CE＝ 600V, VI_C= 60A, V_GE= + 15 V, T_une＝ 25 ° C
[3] @I_F= 30A, V_GE= 0V, T_une＝ 25 ° C
[4] Valeur mesurée de Toshiba
[5] Produit existant GT40QR21

caractéristique

6,5 génération
Diode intégrée à structure RC
Basse tension directe de diode: V_F＝ 1,40 V (valeur typique) @I_F= 30A, T_une＝ 25 ° C

application

Résonance de tension des appareils ménagers

Cuiseur à riz IH
Cuisinière à induction IH
Micro-ondes, etc.

Spécifications du produit

(Sauf indication contraire, @T_une＝ 25 ℃)

Modèle d'appareil	Paquet	Note maximale absolue				collectionneur- Émetteur Tension de saturation V_{CE (samedi)}Valeur typique (V)	diode Tension directe V_FValeur typique (V)	Temps de commutation (Temps de chute) t_FValeur typique (µs)	Résistance thermique de la jonction R_{th (j-c)}Maximum (° C / W)
		collectionneur -Emetteur Tension V_CES(V)	Courant du collecteur (DC) I_C(UNE)		Température de jonction T_j(° C)		diode Tension directe V_FValeur typique (V)
		collectionneur -Emetteur Tension V_CES(V)	@T_c＝ 25 ° C	@T_c＝ 100 ° C	Température de jonction T_j(° C)	@JE_C= 30A, V_GE＝ 15 V	@JE_F= 30A, V_GE= 0 V
GT30J110SRA	TO-3P (N)	1100	60	30	175	1,60	1,40	0,17	0,48

Circuit interne

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Exemple de circuit d'application

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Le circuit d'application illustré dans cet article est pour référence uniquement.
Une évaluation approfondie est nécessaire, en particulier dans la phase de conception de la production de masse.
La fourniture de ces exemples de circuits d'application ne signifie pas qu'une licence de propriété industrielle est accordée.

Courbe caractéristique

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Nouvelle tension directe de diode^【3】La valeur typique à 25 ° C et 30A est de 1,40V, ce qui est mieux que les produits existants^【1】Réduit d'environ 33%, contribuant ainsi à réduire la consommation électrique de l'appareil.

Par rapport aux produits existants, le nouveau produit a changé la conception de la puce pour réduire le courant de court-circuit du condensateur en raison de la résonance de tension lors du démarrage^【1】. Lorsque T_C= 25 ° C et V_GE= 15V, le courant du collecteur est supprimé de 150A à 200A. Dans le cas de 60 A ou moins, la tension de saturation collecteur-émetteur est égale au produit existant^【1】La tension.

Par rapport aux produits existants, le nouveau produit a des performances plus équilibrées et une plage de résistance de grille plus large^【1】.

Avec des produits similaires existants^【5】En comparaison, le nouveau produit a l'intensité de rayonnement électromagnétique la plus élevée autour de 30 MHz, et le niveau de rayonnement est réduit d'environ 10 dBμV / m.

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