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TOSHIBA lanza IGBT discretos que ayudan a reducir el consumo de energía y la radiación de los electrodomésticos: GT30J110SRA

Autor:TOSHIBA
Liberar:2021-01-18

Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (en lo sucesivo, "Toshiba") ha lanzado recientemente un IGBT-GT30J110SRA discreto de 1100 V, que es adecuado para ollas arroceras IH y electrodomésticos como hornos microondas que utilizan circuito de resonancia de voltaje de entrada de 100 V CA.

Las características del nuevo producto GT30J110SRA se han mejorado considerablemente. Con productos existentes^【1】En comparación, su pérdida, supresión de corriente de cortocircuito, radiación electromagnética son menores y el área de trabajo segura es más amplia.

Al reducir el interruptor de apagado y las pérdidas por conducción del diodo, se pueden lograr pérdidas más bajas. Al reducir el ruido de la radiación, es posible utilizar una resistencia de activación de puerta más pequeña que en el pasado. Hora de apertura típica^【2】0,2 μs, en comparación con productos existentes^【1】Reducido en aproximadamente un 20%, tiempo de inactividad típico^【2】Es de 0.33μs, que es aproximadamente un 29% menos que los productos existentes. Voltaje directo típico del diodo^【3】Es de 1,40 V, que se reduce en aproximadamente un 33%, lo que reduce en gran medida el consumo de energía del equipo.

La supresión de la corriente de cortocircuito se logra reduciendo la corriente de saturación, lo que puede reducir la corriente de cortocircuito del condensador resonante durante el arranque del dispositivo. La corriente de saturación máxima típica del nuevo producto es de 200 A, que es más alta que la del producto existente.^【1】Reducido en aproximadamente un 40%, a 60 A o menos, el voltaje de saturación del colector-emisor es igual al producto existente^【1】.

Con productos existentes^【1】En comparación, el lado de alta presión de su área de uso seguro se agranda, lo que hace que el producto sea menos probable que se dañe.

Optimizando la estructura del chip, se logra una menor radiación electromagnética^【4】. Cuando el chip es de alrededor de 30MHz, donde el nivel de radiación electromagnética es más fuerte, la emisión de radiación es solo 35.8dBμV / m, que es aproximadamente 10dBμV / m más baja que los productos existentes.^【5】.

[1] Producto existente GT60PR21
[2] @V_CE＝ 600V, VI_C= 60 A, V_GE= + 15V, T_un＝ 25 ° C
[3] @I_F= 30 A, V_GE= 0V, T_un＝ 25 ° C
[4] Valor medido de Toshiba
[5] Producto existente GT40QR21

característica

6.5 generación
Diodo incorporado de estructura RC
Voltaje directo de diodo bajo: V_F＝ 1,40 V (valor típico) @I_F= 30A, T_un＝ 25 ° C

solicitud

Resonancia de voltaje de electrodomésticos.

Olla arrocera IH
Cocina de inducción IH
Microondas, etc.

Especificaciones del producto

(A menos que se especifique lo contrario, @T_un＝ 25 ℃)

Modelo de dispositivo	Paquete	Puntaje máximo absoluto				coleccionista- Emisor Voltaje de saturación V_{CE (sat)}Valor típico (V)	diodo Tensión directa V_FValor típico (V)	Tiempo de cambio (Otoño) t_FValor típico (µs)	Resistencia térmica de la unión R_{th (j-c)}Máximo (° C / W)
		coleccionista -Emisor voltaje V_CES(V)	Corriente de colector (CC) I_C(UN)		Temperatura de la Unión T_j(° C)		diodo Tensión directa V_FValor típico (V)
		coleccionista -Emisor voltaje V_CES(V)	@T_C＝ 25 ° C	@T_C＝ 100 ° C	Temperatura de la Unión T_j(° C)	@YO_C= 30A, V_GE＝ 15V	@YO_F= 30A, V_GE= 0V
GT30J110SRA	TO-3P (N)	1100	60	30	175	1,60	1,40	0,17	0.48

Circuito interno

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Ejemplo de circuito de aplicación

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

El circuito de aplicación que se muestra en este artículo es solo para referencia.
Se requiere una evaluación exhaustiva, especialmente en la fase de diseño de producción en masa.
La provisión de estos ejemplos de circuitos de aplicación no significa que se otorgue ninguna licencia de propiedad industrial.

Curva característica

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Nuevo voltaje directo de diodo^【3】El valor típico a 25 ° C y 30 A es 1,40 V, que es mejor que los productos existentes^【1】Reducido en aproximadamente un 33%, lo que ayuda a reducir el consumo de energía del dispositivo.

En comparación con los productos existentes, el nuevo producto ha cambiado el diseño del chip para reducir la corriente de cortocircuito del condensador debido a la resonancia de voltaje durante el arranque.^【1】. Cuando T_C= 25 ° C y V_GE= 15 V, la corriente del colector se suprime a 150 A a 200 A. En el caso de 60A o menos, el voltaje de saturación colector-emisor es igual al producto existente^【1】El voltaje.

En comparación con los productos existentes, el nuevo producto tiene un rendimiento más equilibrado y un rango de resistencia de puerta más amplio.^【1】.

Con productos similares existentes^【5】En comparación, el nuevo producto tiene la intensidad de radiación electromagnética más alta alrededor de 30MHz y el nivel de radiación se ha reducido en aproximadamente 10dBμV / m.

Los precios y especificaciones de los productos, el contenido del servicio y la información de contacto de este documento siguen siendo la información más reciente del día del anuncio y están sujetos a cambios sin previo aviso.