Nieuws

TOSHIBA lanceert discrete IGBT's die het stroomverbruik en de straling van huishoudelijke apparaten helpen verminderen: GT30J110SRA

Auteur:TOSHIBA
Loslaten:2021-01-18

Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (hierna "Toshiba" genoemd) heeft onlangs een 1100V discrete IGBT-GT30J110SRA geïntroduceerd, die geschikt is voor IH rijstkokers en huishoudelijke apparaten zoals magnetrons die een AC 100V ingangsspanning resonantiecircuit gebruiken.

De eigenschappen van het nieuwe GT30J110SRA-product zijn sterk verbeterd. Met bestaande producten^【1】Ter vergelijking: het verlies, de kortsluitstroomonderdrukking, de elektromagnetische straling zijn lager en het veilige werkgebied is groter.

Door de uitschakelschakelaar en diodegeleidingsverliezen te verminderen, kunnen lagere verliezen worden bereikt. Door het verminderen van de stralingsruis is het mogelijk om een kleinere gate-aandrijfweerstand te gebruiken dan in het verleden. Typische openingstijd^【2】0.2 μs, vergeleken met bestaande producten^【1】Verminderd met ongeveer 20%, typische rusttijd^【2】Het is 0,33 μs, wat ongeveer 29% minder is dan bestaande producten. Typische voorwaartse spanning van diode^【3】Het is 1,40 V, wat wordt verminderd met ongeveer 33%, waardoor het stroomverbruik van de apparatuur aanzienlijk wordt verminderd.

Onderdrukking van kortsluitstroom wordt bereikt door de verzadigingsstroom te verminderen, waardoor de kortsluitstroom van de resonantiecondensator tijdens het opstarten van het apparaat kan worden verminderd. De typische piekverzadigingsstroom van het nieuwe product is 200A, wat hoger is dan die van het bestaande product^【1】Verminderd met ongeveer 40%, bij 60A of lager, is de verzadigingsspanning van de collector-emitter gelijk aan het bestaande product^【1】.

Met bestaande producten^【1】Ter vergelijking: de hogedrukzijde van het veilige gebruiksgebied wordt vergroot, waardoor het product minder snel beschadigd raakt.

Door de chipstructuur te optimaliseren, wordt er minder elektromagnetische straling bereikt^【4】. Als de chip rond de 30 MHz is, waar het elektromagnetische stralingsniveau het sterkst is, is de stralingsemissie slechts 35,8 dBμV / m, wat ongeveer 10 dBμV / m lager is dan bij bestaande producten.^【5】.

[1] Bestaand product GT60PR21
[2] @V_CE＝ 600V, VI_C= 60A, V_GE= + 15V, T_een＝ 25 ° C
[3] @I_F.= 30A, V_GE= 0V, T_een＝ 25 ° C
[4] Toshiba's gemeten waarde
[5] Bestaand product GT40QR21

karakteristiek

6.5 generatie
RC-structuur ingebouwde diode
Lage diode voorwaartse spanning: V._F.＝ 1,40 V (typische waarde) @I_F.= 30A, T_een＝ 25 ° C

toepassing

Spanningsresonantie van huishoudelijke apparaten

IH rijstkoker
IH inductiekookplaat
Magnetron enz.

Product specificaties

(Tenzij anders aangegeven, @T_een＝ 25 ℃)

Apparaat model	Pakket	Absoluut maximale waardering				verzamelaar- Emitter Verzadigingsspanning V._{CE (zat)}Typische waarde (V)	diode Voorwaartse spanning V._F.Typische waarde (V)	Schakeltijd (Herfst tijd) t_fTypische waarde (µs)	Thermische weerstand van de kruising R_{th (j-c)}Maximaal (° C / W)
		verzamelaar -Emitter Spanning V._CES(V)	Collectorstroom (DC) I._C(EEN)		Junction temperatuur T_j(° C)		diode Voorwaartse spanning V._F.Typische waarde (V)
		verzamelaar -Emitter Spanning V._CES(V)	@T_c＝ 25 ° C	@T_c＝ 100 ° C	Junction temperatuur T_j(° C)	@IK_C= 30A, V._GE＝ 15V	@IK_F.= 30A, V._GE= 0V
GT30J110SRA	TO-3P (N)	1100	60	30	175	1,60	1.40	0,17	0,48

Intern circuit

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Voorbeeld van een toepassingscircuit

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Het toepassingscircuit dat in dit artikel wordt getoond, is alleen ter referentie.
Een grondige evaluatie is vereist, vooral in de ontwerpfase van massaproductie.
De verstrekking van deze voorbeelden van toepassingsschakelingen betekent niet dat een licentie voor industrieel eigendom wordt verleend.

Karakteristieke curve

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Nieuwe diode voorwaartse spanning^【3】De typische waarde bij 25 ° C en 30A is 1,40V, wat beter is dan bestaande producten^【1】Verminderd met ongeveer 33%, waardoor het stroomverbruik van het apparaat wordt verminderd.

In vergelijking met de bestaande producten heeft het nieuwe product het chipontwerp veranderd om de kortsluitstroom van de condensator als gevolg van spanningsresonantie tijdens het opstarten te verminderen^【1】. Toen T_C= 25 ° C en V_GE= 15V, de collectorstroom wordt onderdrukt tot 150A tot 200A. In het geval van 60A of lager is de collector-emitter-verzadigingsspanning gelijk aan het bestaande product^【1】De spanning.

In vergelijking met bestaande producten heeft het nieuwe product meer gebalanceerde prestaties en een groter poortweerstandsbereik^【1】.

Met bestaande vergelijkbare producten^【5】Ter vergelijking: het nieuwe product heeft de hoogste elektromagnetische stralingsintensiteit rond 30 MHz en het stralingsniveau is met ongeveer 10 dBμV / m verminderd.

De productprijzen en specificaties, service-inhoud en contactgegevens in dit document zijn nog steeds de meest recente informatie op de dag van de aankondiging en kunnen zonder voorafgaande kennisgeving worden gewijzigd.