Berita
TOSHIBA meluncurkan IGBT terpisah yang membantu mengurangi konsumsi daya dan radiasi peralatan rumah tangga: GT30J110SRA
- Penulis:TOSHIBA
- Lepaskan di:2021-01-18
Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (selanjutnya disebut "Toshiba") baru saja memperkenalkan IGBT-GT30J110SRA diskrit 1100V, yang cocok untuk penanak nasi IH dan peralatan rumah tangga seperti oven microwave yang menggunakan rangkaian resonansi tegangan input AC 100V.
Karakteristik produk GT30J110SRA baru telah sangat ditingkatkan. Dengan produk yang sudah ada【1】Sebagai perbandingan, kerugiannya, penekanan arus hubung singkat, radiasi elektromagnetik lebih rendah, dan area kerja yang aman lebih luas.
Dengan mengurangi sakelar mati dan kerugian konduksi dioda, kerugian yang lebih rendah dapat dicapai. Dengan mengurangi kebisingan radiasi, dimungkinkan untuk menggunakan resistor penggerak gerbang yang lebih kecil daripada sebelumnya. Jam buka biasanya【2】0,2μs, dibandingkan dengan produk yang ada【1】Dikurangi sekitar 20%, biasanya waktu libur【2】Ini adalah 0,33μs, yaitu sekitar 29% lebih sedikit dari produk yang ada. Tegangan maju khas dioda【3】Ini adalah 1,40V, yang berkurang sekitar 33%, sangat mengurangi konsumsi daya peralatan.
Penindasan arus hubung singkat dicapai dengan mengurangi arus saturasi, yang dapat mengurangi arus hubung singkat kapasitor resonansi selama penyalaan perangkat. Arus saturasi puncak tipikal dari produk baru adalah 200A, yang lebih tinggi daripada produk yang sudah ada【1】Dikurangi sekitar 40%, pada 60A atau lebih rendah, tegangan saturasi kolektor-emitor sama dengan produk yang ada【1】.
Dengan produk yang sudah ada【1】Sebagai perbandingan, sisi bertekanan tinggi dari area penggunaannya yang aman diperbesar, sehingga kecil kemungkinan produk rusak.
Dengan mengoptimalkan struktur chip, radiasi elektromagnetik yang lebih rendah tercapai【4】. Ketika chip berada di sekitar 30MHz di mana tingkat radiasi elektromagnetik paling kuat, emisi radiasi hanya 35,8dBμV / m, yang sekitar 10dBμV / m lebih rendah dari produk yang ada.【5】.
[1] Produk yang sudah ada GT60PR21
[2] @VCE＝ 600V, VIC= 60A, V.GE= + 15V, TSebuah＝ 25 ° C
[3] @AkuF= 30A, V.GE= 0V, TSebuah＝ 25 ° C
[4] Nilai terukur Toshiba
[5] Produk yang ada GT40QR21
ciri
- 6,5 generasi
- Struktur RC dioda built-in
- Tegangan maju dioda rendah: V.F＝ 1.40V (nilai tipikal) @IF= 30A, TSebuah＝ 25 ° C
aplikasi
Resonansi tegangan peralatan rumah tangga
- Penanak nasi IH
- Kompor induksi IH
- Microwave, dll.
Spesifikasi Produk
(Kecuali ditentukan lain, @TSebuah＝ 25 ℃)
Sirkuit internal
Contoh rangkaian aplikasi
Sirkuit aplikasi yang ditunjukkan dalam artikel ini hanya untuk referensi.
Evaluasi menyeluruh diperlukan, terutama dalam tahap desain produksi massal.
Pemberian contoh rangkaian aplikasi ini tidak berarti bahwa izin properti industri diberikan.
Kurva karakteristik
- Tegangan maju dioda baru【3】Nilai tipikal pada 25 ° C dan 30A adalah 1,40V, yang lebih baik dari produk yang ada【1】Mengurangi sekitar 33%, sehingga membantu mengurangi konsumsi daya perangkat.
- Dibandingkan dengan produk yang ada, produk baru telah mengubah desain chip untuk mengurangi arus hubung singkat kapasitor karena resonansi tegangan selama penyalaan.【1】. Saat TC= 25 ° C dan V.GE = 15V, arus kolektor ditekan ke 150A hingga 200A. Dalam kasus 60A atau lebih rendah, tegangan saturasi kolektor-emitor sama dengan produk yang ada【1】Voltase.
- Dibandingkan dengan produk yang sudah ada, produk baru ini memiliki kinerja yang lebih seimbang dan daya tahan gerbang yang lebih besar【1】.
- Dengan produk sejenis yang sudah ada【5】Sebagai perbandingan, produk baru ini memiliki intensitas radiasi elektromagnetik tertinggi sekitar 30MHz, dan tingkat radiasi telah berkurang sekitar 10dBμV / m.
Harga dan spesifikasi produk, konten layanan, dan informasi kontak dalam dokumen ini masih merupakan informasi terbaru pada tanggal pengumuman dan dapat berubah sewaktu-waktu tanpa pemberitahuan.