NTSB20120CT-1G
- Số Phần:
- NTSB20120CT-1G
- nhà chế tạo:
- ON Semiconductor
- Sự miêu tả:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
- Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- số lượng trong kho:
- 70724 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Thời gian sản xuất:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- NTSB20120CT-1G.pdf
Giới thiệu
We can supply NTSB20120CT-1G, use the request quote form to request NTSB20120CT-1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NTSB20120CT-1G.The price and lead time for NTSB20120CT-1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NTSB20120CT-1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Thông số kỹ thuật
| Số phần nội bộ | RO-NTSB20120CT-1G |
|---|---|
| Điều kiện | Original New |
| Nguồn gốc đất nước | Contact us |
| Đánh dấu hàng đầu | email us |
| Thay thế | See datasheet |
| Voltage - Đỉnh ngược (Max): | Schottky |
| Voltage - DC Xếp (VR) (Max): | 1 Pair Common Cathode |
| Voltage - Breakdown: | I2PAK |
| Tốc độ: | 10A |
| Loạt: | - |
| Tình trạng RoHS: | Tube |
| Xếp Thời gian phục hồi (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| sự phân cực: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Vài cái tên khác: | NTSB20120CT-1GOS NTSB20120CT1G |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 2 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | NTSB20120CT-1G |
| Mô tả mở rộng: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Cấu hình diode: | 700µA @ 120V |
| Sự miêu tả: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
| Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR: | 1.1V @ 10A |
| Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode): | 120V |
| Dung @ VR, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho NTSB20120CT-1G
Latest Tin tức
- Onsemi đã ra mắt bao bì thu phí đầu tiên trên thế giới 650 v silicon cacbua mosfet
- Bộ phát triển động cơ của ON Semiconductor tập trung vào hiệu quả năng lượng trước tiên
- Nền tảng lidar thời gian bay trực tiếp (dToF) của ống nhân quang silicon của ON Semiconductor cung cấp các thiết kế làm sẵn cho các ứng dụng công nghiệp khác nhau
- ON Semiconductor và Theta Power Systems International thiết lập quan hệ đối tác cho các ứng dụng điều khiển động cơ
- ON Semiconductor bổ nhiệm Hassane El-Khoury làm Giám đốc điều hành (CEO) kế nhiệm