NTSB20120CT-1G
- Artikelnummer:
- NTSB20120CT-1G
- Tillverkare:
- ON Semiconductor
- Beskrivning:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
- RoHS-status:
- Blyfri / Överensstämmer med RoHS
- Antal i lager:
- 70724 Pieces
- Leveranstid:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionstid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- NTSB20120CT-1G.pdf
Introduktion
We can supply NTSB20120CT-1G, use the request quote form to request NTSB20120CT-1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NTSB20120CT-1G.The price and lead time for NTSB20120CT-1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NTSB20120CT-1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifikationer
| Internt delnummer | RO-NTSB20120CT-1G |
|---|---|
| Tillstånd | Original New |
| Ursprungsland | Contact us |
| Toppmarkering | email us |
| Ersättning | See datasheet |
| Spänning - Peak Reverse (Max): | Schottky |
| Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max): | 1 Pair Common Cathode |
| Spänning - Uppdelning: | I2PAK |
| Fart: | 10A |
| Serier: | - |
| RoHS-status: | Tube |
| Omvänd återställningstid (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polarisering: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andra namn: | NTSB20120CT-1GOS NTSB20120CT1G |
| Monteringstyp: | Through Hole |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 2 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | NTSB20120CT-1G |
| Utvidgad beskrivning: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Diodkonfiguration: | 700µA @ 120V |
| Beskrivning: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
| Ström - Omvänd läckage @ Vr: | 1.1V @ 10A |
| Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io) (per Diod): | 120V |
| Kapacitans @ Vr, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till NTSB20120CT-1G
Latest News
- OnSemi lanserade världens första avgiftsförpackning 650 V Silicon Carbide MOSFET
- ON Semiconductors motorutvecklingssats fokuserar först på energieffektivitet
- ON Semiconductors SiPM-direktflygtid (dToF) lidarplattform ger färdiga konstruktioner för industriella applikationer
- ON Semiconductor och Theta Power Systems International etablerar partnerskap för applikationer för motorstyrning
- ON Semiconductor utser Hassane El-Khoury till efterträdande VD (CEO)