NTSB20120CT-1G
- Osa numero:
- NTSB20120CT-1G
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 70724 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- NTSB20120CT-1G.pdf
esittely
We can supply NTSB20120CT-1G, use the request quote form to request NTSB20120CT-1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NTSB20120CT-1G.The price and lead time for NTSB20120CT-1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NTSB20120CT-1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-NTSB20120CT-1G |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Peak Reverse (Max): | Schottky |
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 1 Pair Common Cathode |
| Jännite - Breakdown: | I2PAK |
| Nopeus: | 10A |
| Sarja: | - |
| RoHS-tila: | Tube |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polarisaatio: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Muut nimet: | NTSB20120CT-1GOS NTSB20120CT1G |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 2 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | NTSB20120CT-1G |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| diodikonfiguraatiolla: | 700µA @ 120V |
| Kuvaus: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 1.1V @ 10A |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode): | 120V |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NTSB20120CT-1G
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)