NTSB20120CT-1G
- Тип продуктов:
- NTSB20120CT-1G
- производитель:
- ON Semiconductor
- Описание:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 70724 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- NTSB20120CT-1G.pdf
Введение
We can supply NTSB20120CT-1G, use the request quote form to request NTSB20120CT-1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NTSB20120CT-1G.The price and lead time for NTSB20120CT-1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NTSB20120CT-1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-NTSB20120CT-1G |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - Пиковое обратное (Макс): | Schottky |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 1 Pair Common Cathode |
| Напряжение - Разбивка: | I2PAK |
| скорость: | 10A |
| Серии: | - |
| Статус RoHS: | Tube |
| Обратное время восстановления (ТИР): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| поляризация: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Другие названия: | NTSB20120CT-1GOS NTSB20120CT1G |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 2 Weeks |
| Номер детали производителя: | NTSB20120CT-1G |
| Расширенное описание: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Диод Конфигурация: | 700µA @ 120V |
| Описание: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 1.1V @ 10A |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode): | 120V |
| Емкостной @ В.Р., F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для NTSB20120CT-1G
Latest Новости
- Onsemi запустил первую в мире платную упаковку 650 В кремниевого карбида MOSFET
- Комплект для разработки двигателей ON Semiconductor в первую очередь ориентирован на энергоэффективность
- Кремниевый фотоумножитель (SiPM) ON Semiconductor для лидара с прямым временем пролета (dToF) предоставляет готовые конструкции для промышленных приложений измерения дальности
- ON Semiconductor и Theta Power Systems International устанавливают партнерские отношения в области управления двигателями
- ON Semiconductor назначает Хассана Эль-Хури преемником генерального директора (генерального директора)