NTSB20120CT-1G
- Onderdeel nummer:
- NTSB20120CT-1G
- Fabrikant:
- ON Semiconductor
- Beschrijving:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
- RoHS-status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- hoeveelheid in voorraad:
- 70724 Pieces
- Aflevertijd:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Productie tijd:
- 4-8 weeks
- Data papier:
- NTSB20120CT-1G.pdf
Invoering
We can supply NTSB20120CT-1G, use the request quote form to request NTSB20120CT-1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NTSB20120CT-1G.The price and lead time for NTSB20120CT-1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NTSB20120CT-1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
bestek
| Intern onderdeelnummer | RO-NTSB20120CT-1G |
|---|---|
| Staat | Original New |
| Land van oorsprong | Contact us |
| Top Markering | email us |
| Vervanging | See datasheet |
| Spanning - Peak Reverse (Max): | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): | 1 Pair Common Cathode |
| Voltage - Breakdown: | I2PAK |
| Snelheid: | 10A |
| Serie: | - |
| RoHS Status: | Tube |
| Reverse Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polarisatie: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere namen: | NTSB20120CT-1GOS NTSB20120CT1G |
| montage Type: | Through Hole |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Standaard Levertijd: | 2 Weeks |
| Fabrikant Onderdeelnummer: | NTSB20120CT-1G |
| Uitgebreide beschrijving: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| diode Configuration: | 700µA @ 120V |
| Beschrijving: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
| Current - Reverse Lekkage @ Vr: | 1.1V @ 10A |
| Current - gemiddelde gelijkgerichte (Io) (per Diode): | 120V |
| Capaciteit @ Vr, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor NTSB20120CT-1G
Latest Nieuws
- Onsemi lanceerde 's werelds eerste tolverpakking 650 V Silicon Carbide Mosfet
- De motorontwikkelingskit van ON Semiconductor richt zich eerst op energie-efficiëntie
- ON Semiconductor's Silicon Photomultiplier (SiPM) Direct Time-of-Flight (dToF) Lidar-platform biedt kant-en-klare ontwerpen voor industriële toepassingen
- ON Semiconductor en Theta Power Systems International gaan een partnerschap aan voor motorbesturingstoepassingen
- ON Semiconductor stelt Hassane El-Khoury aan als opvolger CEO (CEO)