NTSB20120CT-1G
- Cikkszám:
- NTSB20120CT-1G
- Gyártó:
- ON Semiconductor
- Leírás:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
- RoHS-állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Mennyiség raktáron:
- 70724 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Termelési idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- NTSB20120CT-1G.pdf
Bevezetés
We can supply NTSB20120CT-1G, use the request quote form to request NTSB20120CT-1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NTSB20120CT-1G.The price and lead time for NTSB20120CT-1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NTSB20120CT-1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Műszaki adatok
| Belső rész száma | RO-NTSB20120CT-1G |
|---|---|
| Feltétel | Original New |
| Ország eredete | Contact us |
| Top jelölés | email us |
| Csere | See datasheet |
| Feszültség - Peak Reverse (Max): | Schottky |
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 1 Pair Common Cathode |
| Feszültségelosztás: | I2PAK |
| Sebesség: | 10A |
| Sorozat: | - |
| RoHS állapot: | Tube |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polarizáció: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Más nevek: | NTSB20120CT-1GOS NTSB20120CT1G |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 2 Weeks |
| Gyártási szám: | NTSB20120CT-1G |
| Bővített leírás: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Dióda konfiguráció: | 700µA @ 120V |
| Leírás: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 1.1V @ 10A |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 120V |
| Capacitance @ Vr, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NTSB20120CT-1G-hoz
Latest News
- Az Onemi elindította a világ első útdíjcsomagolását 650 V -os szilícium -karbid MOSFET
- Az ON Semiconductor motoros fejlesztőkészlete elsősorban az energiahatékonyságra összpontosít
- Az ON Semiconductor szilícium fotomultikszorzója (SiPM) a közvetlen repülési idő (dToF) lidar platformja készen áll az ipari alkalmazásokhoz
- Az ON Semiconductor és a Theta Power Systems International partnerséget létesít a motorvezérlő alkalmazások terén
- Az ON Semiconductor kinevezi Hassane El-Khouryt utód vezérigazgatóvá (vezérigazgató)