русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > EPC2046ENGRT
EPC2046ENGRT
EPC2046ENGRT
Тип продуктов:
EPC2046ENGRT
производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 200V BUMPED DIE
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
31517 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
EPC2046ENGRT.pdf
запрос

Введение

We can supply EPC2046ENGRT, use the request quote form to request EPC2046ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2046ENGRT.The price and lead time for EPC2046ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2046ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-EPC2046ENGRT
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:2.5V @ 7mA
Vgs (макс.):+6V, -4V
Технологии:GaNFET (Gallium Nitride)
Поставщик Упаковка устройства:Die
Серии:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 20A, 5V
Рассеиваемая мощность (макс):-
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:Die
Другие названия:917-EPC2046ENGRTR
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:14 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:345pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:3.6nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):5V
Слить к источнику напряжения (VDSS):200V
Подробное описание:N-Channel 200V 11A (Ta) Surface Mount Die
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для EPC2046ENGRT

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
EPC2100ENG Image EPC2100ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE запрос
EPC2039 Image EPC2039 EPC TRANS GAN 80V BUMPED DIE запрос
EPC2050ENGRT Image EPC2050ENGRT EPC TRANS GAN 350V BUMPED DIE запрос
EPC2037 Image EPC2037 EPC TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI запрос
EPC2101ENG Image EPC2101ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE запрос
EPC2040ENGR Image EPC2040ENGR EPC TRANS GAN 25V BUMPED DIE запрос
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE запрос
EPC2040ENGRT Image EPC2040ENGRT EPC TRANS GAN 15V BUMPED DIE запрос
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID запрос
EPC2049ENGRT EPC TRANS GAN 40V BUMPED DIE запрос
EPC2100ENGRT Image EPC2100ENGRT EPC MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE запрос
EPC2100 Image EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID запрос
EPC2040 Image EPC2040 EPC MOSFET NCH 15V 3.4A DIE запрос
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE запрос
EPC2101 Image EPC2101 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID запрос
EPC2047ENGRT Image EPC2047ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE запрос
EPC2045ENGRT Image EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE запрос
EPC2051ENGRT Image EPC2051ENGRT EPC TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR запрос
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE запрос
EPC2039ENGRT Image EPC2039ENGRT EPC TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE запрос

Latest Новости