Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2046ENGRT
EPC2046ENGRT
EPC2046ENGRT
Modello di prodotti:
EPC2046ENGRT
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 200V BUMPED DIE
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
31517 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2046ENGRT.pdf
Inchiesta

introduzione

We can supply EPC2046ENGRT, use the request quote form to request EPC2046ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2046ENGRT.The price and lead time for EPC2046ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2046ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifiche

Numero di parte interno RO-EPC2046ENGRT
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 7mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 20A, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-EPC2046ENGRTR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:345pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.6nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 200V 11A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per EPC2046ENGRT

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
EPC2100ENG Image EPC2100ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2039 Image EPC2039 EPC TRANS GAN 80V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2050ENGRT Image EPC2050ENGRT EPC TRANS GAN 350V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2037 Image EPC2037 EPC TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI Inchiesta
EPC2101ENG Image EPC2101ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2040ENGR Image EPC2040ENGR EPC TRANS GAN 25V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2040ENGRT Image EPC2040ENGRT EPC TRANS GAN 15V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Inchiesta
EPC2049ENGRT EPC TRANS GAN 40V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2100ENGRT Image EPC2100ENGRT EPC MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE Inchiesta
EPC2100 Image EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Inchiesta
EPC2040 Image EPC2040 EPC MOSFET NCH 15V 3.4A DIE Inchiesta
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE Inchiesta
EPC2101 Image EPC2101 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Inchiesta
EPC2047ENGRT Image EPC2047ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2045ENGRT Image EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2051ENGRT Image EPC2051ENGRT EPC TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR Inchiesta
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2039ENGRT Image EPC2039ENGRT EPC TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE Inchiesta

Latest Notizie