русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > EPC2037ENGR
EPC2037ENGR
EPC2037ENGR
Тип продуктов:
EPC2037ENGR
производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
52065 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
EPC2037ENGR.pdf
запрос

Введение

We can supply EPC2037ENGR, use the request quote form to request EPC2037ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2037ENGR.The price and lead time for EPC2037ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2037ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-EPC2037ENGR
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:2.5V @ 80µA
Vgs (макс.):+6V, -4V
Технологии:GaNFET (Gallium Nitride)
Поставщик Упаковка устройства:Die
Серии:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:550 mOhm @ 100mA, 5V
Рассеиваемая мощность (макс):-
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:Die
Другие названия:917-EPC2037ENGRTR
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:12.5pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:0.12nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):5V
Слить к источнику напряжения (VDSS):100V
Подробное описание:N-Channel 100V 1A (Ta) Surface Mount Die
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для EPC2037ENGR

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
EPC2040 Image EPC2040 EPC MOSFET NCH 15V 3.4A DIE запрос
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2039 Image EPC2039 EPC TRANS GAN 80V BUMPED DIE запрос
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE запрос
EPC2039ENGRT Image EPC2039ENGRT EPC TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE запрос
EPC2047ENGRT Image EPC2047ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE запрос
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE запрос
EPC2045ENGRT Image EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE запрос
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE запрос
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE запрос
EPC2037 Image EPC2037 EPC TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI запрос
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE запрос
EPC2046ENGRT Image EPC2046ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE запрос
EPC2036ENGRT Image EPC2036ENGRT EPC MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE запрос
EPC2040ENGRT Image EPC2040ENGRT EPC TRANS GAN 15V BUMPED DIE запрос
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE запрос
EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE запрос
EPC2040ENGR Image EPC2040ENGR EPC TRANS GAN 25V BUMPED DIE запрос
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE запрос

Latest Новости